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1.SiC 外延技术攻关2.SiC 电力电子器件技术攻关3.封装
发布时间： 2023-12-04 浏览量：34
- 意向投入金额：
- 产业领域： 高端装备
- 单位名称：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
- 单位属性：
- 信息有效时间：
- 需求类别： 技术需求
- 所在地区：
需求详情REQUIREMENT DETAILS
| 联系人 | 魏思佳 | 联系电话 | 13845028100 | 邮箱 | |
| 项目简介 |
1.SiC 外延技术攻关：可以满足3.3kV 及以下功率器件制备需求，厚度大于200μm 外延生长，掺杂浓度小1×1013/cm3，在 5×1018/cm3量级掺杂浓度均匀性<6%。 2.SiC 二极管、晶体管、IGBT 器件，650V-1700V 电压及3300V 以上电压等级器件 3.封装工艺开发 |
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