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三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法

发布时间： 2023-12-08 浏览量：18

交易方式：面议
联系电话：0451-51061260
单位名称或姓名：王一
产业领域：医药
成果类型：

项目基本情况Basic information of the project

本项目属于集成电路产业DRAM存储芯片设计领域。DRAM存储芯片是电脑、服务器、智能手机和各种高性能电子产品的关键器件。但我国存储芯片基本依靠进口，每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。存储芯片对于一个国家集成电路产业成长壮大发挥重要的推动作用，中国半导体产业用存储芯片作为推进集成电路产业的突破口。紫光集团投资240亿美金建立国家存储芯片基地；福建省晋华集成电路有限公司，一期投资56.5亿美金生产DRAM存储芯片。建立我们自己的DRAM存储产业，不但具有非常大的经济意义，同时也是引领我们国家集成电路产业发展的战略目标。主要内容：三态DRAM存储技术：在不改变现有的DRAM生产工艺的条件下，通过电路优化的方法，极大地提高芯片的存储效率，从而降低DRAM芯片产品的生产成本和运行功耗，并提高芯片的存储性能。自刷新DRAM储态技术：完全保留了DRAM芯片的高密度低成本低功耗的特点，有效地提高了DRAM芯片的使用效率，在使用接口上也更加简单。自刷新DRAM芯片无论在功能上还是性能上都是比传统DRAM芯片更加先进的存储芯片产品，能够在各类计算机系统中取代传统DRAM芯片，促进计算机系统性能的整体提升。自刷新DRAM储态技术对全球DRAM产业的影响将是颠覆性的。

管理团队与技术团队Management team and technical team

哈尔滨星忆存储科技有限公司

效益分析Benefit analysis

该项目为储备库项目资源，暂无效益分析内容。

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