光电探测器是一种将光学信号转变为电学信号的器件，在光通讯、光成像、环境监测、导弹监测和远程操控等领域具有巨大的应用前景，是科学界的热点研究领域，吸引了科学家的广泛关注，得到了快速的发展。具有良好的吸光能力和电学性能的半导体材料是设计制备高性能光电探测器的基础基础。基于传统半导体材料（硅、氮化镓和砷铟镓）的光电探测器表现出较小的光电探测性能，光响应值小于1 A/W。 纳米材料具有不同于三维材料的特殊的电学和光学性能，在高性能光电探测器领域具有巨大的应用前景。到目前为止，科学家探索了各种纳米材料，如碳纳米管和纳米线。然而，器件较差的稳定性和材料较差的重复性是困扰一维纳米材料应用的最大问题。二维半导体材料可以克服一维材料的弱点，且与现在的薄膜集成技术相适应。然而二维半导体材料的电学输运性能远小于三维半导体材料，探索高电学输运性能的二维半导体材料对发展高性能的光电探测器具有重大意义。本发明属于高性能光电探测器领域；具体涉及二维超晶格硒化铟的制备方法及在高性能光电探测器的应用。本发明要解决现有二维半导体材料电学输运性能差及其光电探测器的光探测性能低的技术问题；而提供了二维超晶格硒化铟的制备方法及高性能光电探测器的应用。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。本发明方法制备的二维超晶格InSe光电探测器在可见光照射下电流显著增加，说明二维超晶格InSe具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达1.95×105 A/W，远高于传统半导体（硅、氮化镓和砷铟镓＜1 A/W）和二维半导体材料（InSe: 103 A/W, MoS2: 880 A/W）。本发明方法制备的光电探测器具有良好的稳定性和快的相应速度（20 ms），二维超晶格硒化铟在高性能光电探测器领域具有很大的应用前景。 本发明公开了一种二维超晶格硒化铟、其制备方法及在制备光电探测器中的应用，属于高性能光电探测器领域；二维超晶格硒化铟的制备方法为：SiO2/Si基底预处理；用透明胶带粘贴InSe材料后转移到SiO2/Si基底上，浸泡丙酮；真空条件下高温处理，即可在SiO2/Si基底表面制得二维超晶格InSe纳米片。本发明方法制备的二维超晶格InSe具有高的电学输运性能、高的光响应、良好的稳定性和快速的光响应速度，在高性能光电探测器领域具有很好的应用前景。本发明属于高性能光电探测器领域；具体涉及二维超晶格硒化铟的制备方法及在高性能光电探测器的应用。本发明要解决现有二维半导体材料电学输运性能差及其光电探测器的光探测性能低的技术问题；而提供了二维超晶格硒化铟的制备方法及高性能光电探测器的应用。

东北林业大学

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