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基于中子辐照的宽禁带半导体材料的物性研究

发布时间： 2023-12-08 浏览量：29

交易方式：面议
联系电话：86414461
单位名称或姓名：张丹丹
产业领域：新材料
成果类型：

项目基本情况Basic information of the project

宽禁带半导体具有禁带宽度大、临界电场高、电子饱和迁移率高等优异特性，特别是其耐恶劣环境特性是Si和GaAs等传统半导体所无法比拟的，因此广泛应用于航空航天、雷达通信、武器装备等领域。针对中子辐照对其微观结构和物理性质的影响缺乏研究的现状，本项目以宽禁带半导体为研究对象，系统地开展中子辐照对半导体材料物性作用规律的研究。采用XRD, Raman, EELS, HRTEM, PAS等结构表征技术，结合PPMS,SQUID, PL, CL等物性测量方法，系统地研究中子辐照对半导体材料微观结构、光学、电磁输运性质的作用规律。采用第一性原理对辐照后的物性进行理论计算，分析不同材料中子辐照后物性的变化机理，探索可能的新现象和新规律，揭示材料种类-辐照缺陷-物性变化的内在关联，对于发掘辐照宽禁带半导体的物理内涵，拓展其应用领域具有重要的意义。项目组在JACS,Nano Lett.,Adv.Mater.,等高水平杂志上发表SCI论文35篇，授权国家发明专利3项。

管理团队与技术团队Management team and technical team

哈尔滨工业大学

效益分析Benefit analysis

该项目为储备库项目资源，暂无效益分析内容。

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