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nc-Si:H薄膜晶体管压/磁传感器模型与集成化研究

发布时间： 2023-12-08 浏览量：25

交易方式：面议
联系电话：0451-86609437
单位名称或姓名：王鹏
产业领域：数字经济
成果类型：

项目基本情况Basic information of the project

本项目通过研究纳米硅薄膜微结构，建立纳米硅薄膜结构模型，进一步分析揭示纳米硅薄膜厚度和杂质掺杂浓度等因素对薄膜载流子迁移率、薄膜压阻系数和光学禁带宽度的影响问题。在此基础上，建立nc-Si:H薄膜晶体管压/磁传感器理论模型，并采用PECVD方法和CMOS工艺在<100>晶向高阻单晶硅片表面制作具有霍尔输出端的纳米硅薄膜晶体管（nc-Si:H TFT），四个纳米硅薄膜晶体管沟道构成惠斯通电桥结构，采用MEMS技术将纳米硅薄膜晶体管背面单晶硅衬底制作成C型硅杯结构，使制作的具有霍尔输出端的纳米硅薄膜晶体管实现对外加磁场检测的同时又能检测外加压力，实现纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器集成化和一体化。该压/磁传感器采用纳米硅薄膜，传感器具有高灵敏度、温度稳定性好等优点，传感器在自动化技术、汽车工业、航空航天等领域具有重要应用。为纳米硅薄膜在传感器领域进一步应用奠定基础。

管理团队与技术团队Management team and technical team

黑龙江大学

效益分析Benefit analysis

该项目为储备库项目资源，暂无效益分析内容。

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