项目基本情况Basic information of the project
目前国内的第三代半导体SiC功率器件芯片连接材 料与国内外同类产品或技术对比,落后很大,严重依赖 进口,领先国家和企业包括德国贺利氏公司、美国阿尔 法公司、日本京瓷公司等。与国际领先产品的差距在于 现有国内仍沿用Si基半导体的封装材料体系,无法满足 迅猛发展的第三代半导体功率器件高可靠性要求,普遍 存在导热性差、强度低、孔洞多、高温稳定性差等一系 列问题,技术水平与国外供应商存在较大差距,核心封 装材料严重依赖进口,国内厂商封装材料与模块先进 SiC 封装技术集成整合度极低,以上问题已成为阻碍我 国功率半导体发展的瓶颈问题,不利于我国新能源汽 车、轨道交通、5G 通信、大数据中心、能源互联网、 光伏、风电等关键领域建立核心竞争力,高端封装材料 的国产化替代势在必行。目前保守估计2025年SiC封装 材料烧结材料的市场规模在100亿每年。
管理团队与技术团队Management team and technical team
哈尔滨理工大学
研究与开发Research and development
新材料
行业与市场Industry and market
哈尔滨